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好意思光通知推出人人首款基于G9工艺节点的UFS 4.1、UFS 3.1闪存，新款闪存将提供内置AI功能，预测将在好意思光1y LPDDR5X芯片推出后不久欺诈于旗舰诞生之中。

据好意思光败露，G9工艺的新存储芯片，具备更高的能效和读写速率。存储容量横跨256GB至1TB之间，适用于旗舰智妙手机和折叠屏手机。

除了工艺上的纠正除外，好意思光还容或进行一些软件调养升级，并和会过AI功能来改善性能体验。新款的UFS 4.1闪存将复旧分区UFS，提高了读写后果并减少了写入放大效应；数据碎屑整理可将UFS诞生里面的数据从头定位，碎屑整理后果提高60%。缓冲区中的数据造访速率最高可栽培30%。上述功能为UFS 4.1闪存所出奇的，智能延长追踪器通过分析延长日记自动进行调试则在新的UFS 3.1中也能已矣。

虽然，以高潮级主要适用于新款闪存，迪士尼彩乐园单纯的UFS 4.1闪存，其实与本来的UFS 4.0差距不大，毕竟在最大传输速率上，两个圭臬是莫得鉴别的。

UFS 4.1比拟UFS 4.0，主要的鉴别在于后果，UFS 4.1不错由操作系统径直发起碎屑整理，操作系统也能随时更正缓冲区的央求，不需要强制通过主控来已矣，因此系统能更实时地进行性能优化。

另外，UFS 4.1是复旧比较低价的QLC颗粒的，因此更多的主流高性能定位机型，齐可能会遴荐旗舰规格的闪存。

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